ICP-5000型全自動電感耦合等離子體刻蝕機

 一．係統概述

▲總述

本設備為兩室真空係統。其中一室為進樣取樣室，另一室為刻蝕室。進樣取樣室與刻蝕室之間裝有真空鎖，進樣取樣采用機械手運送。

本設備主要由真空係統、氣路係統、電氣係統、控製係統，冷卻係統、送取片機構、報警係統等組成。

▲真空係統

本係統由一個抽速600升/秒分子泵+抽速9升/秒真空泵組成抽氣係統, 將刻蝕室抽至高真空, 分子泵與刻蝕室之間裝有壓力調節閥電插板閥, 機械泵為刻蝕室予抽泵及分子泵前級泵。用另一個抽速9升/秒機械泵將進取樣室抽至真空狀態。 機械泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不鏽鋼波紋管連接, 並裝有電磁氣動隔斷閥。

▲恒壓控製係統

本設備配有下遊恒壓控製係統，在抽氣管路裝有一電動可調節閥，通過薄膜規測量（進口件），可調節閥控製，使真空室達到恒壓,從而提高工藝穩定性。

▲射頻電源係統

采用射頻電源兩套，帶自動動匹配。

▲氣路係統

由4個質量流量控製器控製4路氣體進氣。氣體管路均采用1/4英寸不鏽鋼硬管，管路接頭連接形式采用雙卡套連接。質量流量控製器采用美國技術,氣路閥門、管路等采用進口件。

▲控製係統

采用工控機及PLC控製，通過觸摸屏設置參數及顯示測量值、狀態等，實現真空係統及工藝過程自動化。本機可選擇全自動及非全自動模式。

▲報警係統：設備所需安全要求。

二. 主要技術指標

  1. 極限真空:  刻蝕室9.0×10^-5 Pa (室內濕度≤55%)

               進樣取樣室6.0×10^-1 Pa

2. 刻蝕材料:  Poly-Si、Si、SiO₂、Si₃N_4、深刻矽等

3. 刻蝕速率:   0.01~ 2μ/min

4. 刻蝕均勻性: ≤±5％(φ125mm範圍內)；

5. 電極尺寸: φ200mm

三．設備基本配置

1. 真空泵源:  抽速600升/秒分子泵一台

抽速9升/秒機械泵二台

2. 射頻功率源: RF 500W射頻電源及自動匹配器一套

RF 1000W射頻電源及自動匹配器一套

3. 氣路係統:   4台質量流量計控製四路進氣（七星華創）

              (管件閥門：進口)

4. 真空測量：  複合真空計一台

5．恒壓係統： 薄膜規一個(進口)

可調節閥一套

6. 自動控製係統一套（含工控機，PLC控製器，17〞觸摸顯示屏、    驅動電路等）

ICP-5000型全自動電感耦合等離子體刻蝕機

ICP-5000型全自動電感耦合等離子體刻蝕機