更新時間:2020-11-16
本設備為兩室真空係統。其中一室為進樣取樣室,另一室為刻蝕室。進樣取樣室與刻蝕室之間裝有真空鎖,進樣取樣采用機械手運送。本設備主要由真空係統、氣路係統、電氣係統、控製係統,冷卻係統、送取片機構、報警係統等組成。ICP-5000型全自動電感耦合等離子體刻蝕機
品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 國產 |
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應用領域 | 醫療衛生,化工,電子 |
一.係統概述
▲總述
本設備為兩室真空係統。其中一室為進樣取樣室,另一室為刻蝕室。進樣取樣室與刻蝕室之間裝有真空鎖,進樣取樣采用機械手運送。
本設備主要由真空係統、氣路係統、電氣係統、控製係統,冷卻係統、送取片機構、報警係統等組成。
▲真空係統
本係統由一個抽速600升/秒分子泵+抽速9升/秒真空泵組成抽氣係統, 將刻蝕室抽至高真空, 分子泵與刻蝕室之間裝有壓力調節閥電插板閥, 機械泵為刻蝕室予抽泵及分子泵前級泵。用另一個抽速9升/秒機械泵將進取樣室抽至真空狀態。 機械泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不鏽鋼波紋管連接, 並裝有電磁氣動隔斷閥。
▲恒壓控製係統
本設備配有下遊恒壓控製係統,在抽氣管路裝有一電動可調節閥,通過薄膜規測量(進口件),可調節閥控製,使真空室達到恒壓,從而提高工藝穩定性。
▲射頻電源係統
采用射頻電源兩套,帶自動動匹配。
▲氣路係統
由4個質量流量控製器控製4路氣體進氣。氣體管路均采用1/4英寸不鏽鋼硬管,管路接頭連接形式采用雙卡套連接。質量流量控製器采用美國技術,氣路閥門、管路等采用進口件。
▲控製係統
采用工控機及PLC控製,通過觸摸屏設置參數及顯示測量值、狀態等,實現真空係統及工藝過程自動化。本機可選擇全自動及非全自動模式。
▲報警係統:設備所需安全要求。
二. 主要技術指標
1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%)
進樣取樣室6.0×10-1 Pa
2. 刻蝕材料: Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、深刻矽等
3. 刻蝕速率: 0.01~ 2μ/min
4. 刻蝕均勻性: ≤±5%(φ125mm範圍內);
5. 電極尺寸: φ200mm
三.設備基本配置
1. 真空泵源: 抽速600升/秒分子泵一台
抽速9升/秒機械泵二台
2. 射頻功率源: RF 500W射頻電源及自動匹配器一套
RF 1000W射頻電源及自動匹配器一套
3. 氣路係統: 4台質量流量計控製四路進氣(七星華創)
(管件閥門:進口)
4. 真空測量: 複合真空計一台
5.恒壓係統: 薄膜規一個(進口)
可調節閥一套
6. 自動控製係統一套(含工控機,PLC控製器,17〞觸摸顯示屏、 驅動電路等)
ICP-5000型全自動電感耦合等離子體刻蝕機
ICP-5000型全自動電感耦合等離子體刻蝕機
15072413578
86-027-83667596